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RS1JLS RVG

RS1JLS RVG
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Référence RS1JLS RVG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 865580 pcs
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Référence RS1JLS RVG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 865580 pcs Fiche technique RS1JLS - RS1MLS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 1.2A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur SOD-123HE
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 300ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SOD-123H Autres noms RS1JLS RVGCT
RS1JLS RVGCT-ND
RS1JLSRVGCT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount SOD-123HE Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1.2A Capacité à Vr, F -

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