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RSFJL R3G

RSFJL R3G
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Référence RSFJL R3G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 702631 pcs
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Référence RSFJL R3G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 702631 pcs Fiche technique RSFAL - RSFML
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 500mA
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur Sub SMA
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 250ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte DO-219AB Autres noms RSFJL R3GDKR
RSFJL R3GDKR-ND
RSFJLR3GDKR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 500mA Surface Mount Sub SMA Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 500mA Capacité à Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz

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