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S1KL R3G

S1KL R3G
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Référence S1KL R3G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 613164 pcs
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Référence S1KL R3G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 613164 pcs Fiche technique S1A - S1M
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V Package composant fournisseur Sub SMA
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.8µs Emballage Original-Reel®
Package / Boîte DO-219AB Autres noms S1KL R3GDKR
S1KL R3GDKR-ND
S1KLR3GDKR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 800V 1A Surface Mount Sub SMA Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz

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