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S3DBHM4G

S3DBHM4G
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Référence S3DBHM4G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 629343 pcs
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Référence S3DBHM4G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 629343 pcs Fiche technique S3AB - S3MB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.15V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur DO-214AA (SMB)
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5µs Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AA, SMB Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz

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