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SF1007GHC0G

SF1007GHC0G
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Référence SF1007GHC0G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 217488 pcs
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Référence SF1007GHC0G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 217488 pcs Fiche technique SF1001G - SF1008G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max) 500V Package composant fournisseur TO-220AB
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 500V 10A Through Hole TO-220AB
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 500V Courant - Rectifié moyenne (Io) 10A
Capacité à Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz

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