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SF2002GHC0G

SF2002GHC0G
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Référence SF2002GHC0G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 100V 20A TO220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 142956 pcs
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Référence SF2002GHC0G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 100V 20A TO220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 142956 pcs Fiche technique SF2001G - SF2008G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 975mV @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max) 100V Package composant fournisseur TO-220AB
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 11 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 100V 20A Through Hole TO-220AB
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 100V Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A
Capacité à Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz

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