SFF2008GHC0G

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Référence	SFF2008GHC0G
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB
État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS

~~In Stock~~ 123838 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	4000 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	$0.182

Paramètre de produit
Fiche technique

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Référence	SFF2008GHC0G	Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
La description	DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	123838 pcs	Fiche technique	SFF2001G - SFF2008G
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.7V @ 10A
Tension - inverse (Vr) (max)	600V	Package composant fournisseur	ITO-220AB
La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)	Séries	Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr)	35ns	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Température d'utilisation - Jonction	-55°C ~ 150°C
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 600V 20A Through Hole ITO-220AB
Courant - fuite, inverse à Vr	10µA @ 600V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	20A
Capacité à Vr, F	90pF @ 4V, 1MHz

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