TSM085P03CV RGG
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| Référence | TSM085P03CV RGG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.284 | $0.249 | $0.192 | $0.142 | $0.114 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM085P03CV RGG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 194987 pcs | Fiche technique | TSM085P03CV |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-PDFN (3x3) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 14A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 8-PowerWDFN |
| Autres noms | TSM085P03CV RGGCT TSM085P03CV RGGCT-ND TSM085P03CVRGGCT |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3234pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 64A (Tc) |
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