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TSM126CX RFG

TSM126CX RFG
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Référence TSM126CX RFG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 417922 pcs
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Référence TSM126CX RFG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 417922 pcs Fiche technique TSM126
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 8µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 Ohm @ 16mA, 10V Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms TSM126CX RFGTR
TSM126CX RFGTR-ND
TSM126CXRFGTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 28 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 51.42pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.18nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0V, 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 30mA (Tc) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30mA (Tc)

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