TSM200N03DPQ33 RGG
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| Référence | TSM200N03DPQ33 RGG |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.073 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM200N03DPQ33 RGG | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 326636 pcs | Fiche technique | TSM200N03D |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-PDFN (3x3) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V | Puissance - Max | 20W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerWDFN |
| Autres noms | TSM200N03DPQ33 RGGTR TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND TSM200N03DPQ33RGGTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Standard | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
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- Partie#:
AD9518-3A/PCBZ - Fabricant:
ADI (Analog Devices, Inc.) - La description:
BOARD EVALUATION FOR AD9518-3A - En stock:
506
