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TSM250N02DCQ RFG

TSM250N02DCQ RFG
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Référence TSM250N02DCQ RFG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 321706 pcs
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Référence TSM250N02DCQ RFG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 321706 pcs Fiche technique TSM250N02D
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Package composant fournisseur 6-TDFN (2x2) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 4A, 4.5V Puissance - Max 620mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad
Autres noms TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQ RFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 28 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 10V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.8A (Tc)

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