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TSM301K12CQ RFG

TSM301K12CQ RFG
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Référence TSM301K12CQ RFG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-TDFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 191500 pcs
Référence Prix
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Référence TSM301K12CQ RFG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-TDFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 191500 pcs Fiche technique TSM301K12
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 500mV @ 250µA
Vgs (Max) ±12V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-TDFN (2x2) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 6.5W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad
Autres noms TSM301K12CQ RFGCT
TSM301K12CQ RFGCT-ND
TSM301K12CQRFGCT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 52 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5.2pF @ 6V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
type de FET P-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée P-Channel 20V 4.5A (Ta) 6.5W (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)

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