TSM6N50CH C5G
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| Référence | TSM6N50CH C5G |
|---|---|
| Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| La description | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TSM6N50CH C5G | Fabricant | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4368 pcs | Fiche technique | TSM6N50 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-251 (IPAK) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Autres noms | TSM6N50CH C5G-ND TSM6N50CHC5G |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 500V | Description détaillée | N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.6A (Ta) |
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- Partie#:
CRGH2010J10M - Fabricant:
AMP Connectors / TE Connectivity - La description:
RES SMD 10M OHM 5% 1W 2010 - En stock:
1114296