RN2102CT(TPL3)
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| Référence | RN2102CT(TPL3) |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| La description | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | RN2102CT(TPL3) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4006 pcs | Fiche technique | RN2101CT-06CT |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | CST3 | Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms | Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
| Puissance - Max | 50mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-101, SOT-883 | Autres noms | RN2102CT(TPL3)TR |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 50mA |
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