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TP65H050WS

TP65H050WS
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Référence TP65H050WS
Fabricant Transphorm
La description 650 V 34 A CASCODE GAN FET
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 6467 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1 pcs10 pcs30 pcs120 pcs270 pcs
$6.632$6.029$5.577$5.125$4.673

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Référence TP65H050WS Fabricant Transphorm
La description 650 V 34 A CASCODE GAN FET État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 6467 pcs Fiche technique TP65H050WS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Vgs (Max) ±20V La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 22A, 10V Dissipation de puissance (max) 119W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 400V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)

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