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TP90H180PS

TP90H180PS
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Référence TP90H180PS
Fabricant Transphorm
La description MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 13019 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
1 pcs10 pcs50 pcs
$4.83$4.347$3.961
100 pcs250 pcs500 pcs
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Référence TP90H180PS Fabricant Transphorm
La description MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 13019 pcs Fiche technique TP90H180PS Preliminary
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Vgs (Max) ±18V La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 10A, 10V Dissipation de puissance (max) 78W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 600V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 8V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 900V Description détaillée N-Channel 900V 15A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)

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