TPD3215M
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| Référence | TPD3215M |
|---|---|
| Fabricant | Transphorm |
| La description | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $75.479 | $71.836 | $69.233 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | TPD3215M | Fabricant | Transphorm |
|---|---|---|---|
| La description | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 432 pcs | Fiche technique | TPD3215M |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Package composant fournisseur | Module | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V | Puissance - Max | 470W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | Module |
| Autres noms | TPH3215M TPH3215M-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V | type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
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