W971GG8KB25I
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| Référence | W971GG8KB25I |
|---|---|
| Fabricant | Winbond Electronics Corporation |
| La description | IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | W971GG8KB25I | Fabricant | Winbond Electronics Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4723 pcs | Fiche technique | W971GG8KB |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Tension - Alimentation | 1.7 V ~ 1.9 V | La technologie | SDRAM - DDR2 |
| Package composant fournisseur | 60-WBGA (8x12.5) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 60-TFBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) | Type de mémoire | Volatile |
| Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) | Interface mémoire | Parallel |
| Format de mémoire | DRAM | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée | SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5) | Fréquence d'horloge | 200MHz |
| Temps d'accès | 400ps |
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