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W978H6KBVX2I

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Référence W978H6KBVX2I
Fabricant Winbond Electronics Corporation
La description IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 14088 pcs
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Référence W978H6KBVX2I Fabricant Winbond Electronics Corporation
La description IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 14088 pcs Fiche technique W978H(2,6)KB
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Tension - Alimentation 1.14 V ~ 1.95 V La technologie SDRAM - Mobile LPDDR2
Package composant fournisseur 134-VFBGA (10x11.5) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 134-VFBGA
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Volatile
Taille mémoire 256Mb (16M x 16) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire DRAM Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5) Fréquence d'horloge 400MHz

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