FDMJ1027P
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| Référence | FDMJ1027P |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.2A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | FDMJ1027P | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.2A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5861 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | 6-MicroFET (2x2) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Dissipation de puissance (max) | - | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-VDFN Exposed Pad | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 3.2A (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
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