FDMS003N08C
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| Référence | FDMS003N08C |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | FET ENGR DEV-NOT REL |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.212 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FDMS003N08C | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | FET ENGR DEV-NOT REL | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 31674 pcs | Fiche technique | FDMS003N08C |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | Power56 | Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 56A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Ta), 125W (Tc) |
| Package / Boîte | 8-PowerTDFN | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Statut sans plomb | Lead free |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 40V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 22A (Ta), 147A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Power56 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 147A (Tc) |
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