ALD212900APAL
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| Référence | ALD212900APAL |
|---|---|
| Fabricant | Advanced Linear Devices, Inc. |
| La description | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.628 | $1.309 | $1.192 | $0.966 | $0.814 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ALD212900APAL | Fabricant | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 38683 pcs | Fiche technique | ALD212900/A |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 10mV @ 20µA |
| Package composant fournisseur | 8-PDIP | Séries | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm | Puissance - Max | 500mW |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Autres noms | 1014-1215 | Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 10.6V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80mA |
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