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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > CEFB105-G

CEFB105-G

CEFB105-G
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Référence CEFB105-G
Fabricant Comchip Technology
La description DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4992 pcs
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Référence CEFB105-G Fabricant Comchip Technology
La description DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4992 pcs Fiche technique CEFB101-G thru 105-G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1A Tension - Ventilation DO-214AA (SMB)
Séries - État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation DO-214AA, SMB Autres noms 641-1149-2
MURS160
Température d'utilisation - Jonction 50ns Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant CEFB105-G
Description élargie Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) Configuration diode 5µA @ 600V
La description DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA Courant - fuite, inverse à Vr 1.25V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 600V Capacité à Vr, F 150°C (Max)

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