CEFB205-G
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| Référence | CEFB205-G |
|---|---|
| Fabricant | Comchip Technology |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | CEFB205-G | Fabricant | Comchip Technology |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4635 pcs | Fiche technique | CEFB201-G thru 205-G |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 2A | Tension - Ventilation | DO-214AA (SMB) |
| Séries | - | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-214AA, SMB | Autres noms | 641-1152-2 ES2J |
| Température d'utilisation - Jonction | 50ns | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | CEFB205-G |
| Description élargie | Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) | Configuration diode | 5µA @ 600V |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | Courant - fuite, inverse à Vr | 1.25V @ 2A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V | Capacité à Vr, F | 150°C (Max) |
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