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S29GL512S11DHB010

S29GL512S11DHB010
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Référence S29GL512S11DHB010
Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 11311 pcs
Référence Prix
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Référence S29GL512S11DHB010 Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11311 pcs Fiche technique
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 60ns
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NOR
Package composant fournisseur 64-FBGA (9x9) Séries GL-S
Emballage Tray Package / Boîte 64-LBGA
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours) Type de mémoire Non-Volatile
Taille mémoire 512Mb (32M x 16) Interface mémoire Parallel
Format de mémoire FLASH Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9) Temps d'accès 110ns

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