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S29GL512S11DHIV20

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Référence S29GL512S11DHIV20
Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 11469 pcs
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Référence S29GL512S11DHIV20 Fabricant Cypress Semiconductor
La description IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 11469 pcs Fiche technique S29GL01GS, 512S, 256S, 128S
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 60ns
Tension - Alimentation 1.65 V ~ 3.6 V La technologie FLASH - NOR
Package composant fournisseur 64-FBGA (9x9) Séries GL-S
Emballage Tray Package / Boîte 64-LBGA
Autres noms 1274-1058
S29GL512S11DHIV20-ND		 Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Non-Volatile Taille mémoire 512Mb (32M x 16)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9)
Temps d'accès 110ns

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