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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13
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Référence DMN3018SSS-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 488452 pcs
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Référence DMN3018SSS-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 488452 pcs Fiche technique DMN3018SSS
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V Dissipation de puissance (max) 1.4W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms DMN3018SSS-13DITR
DMN3018SSS13
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.3A (Ta)

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