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DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13
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Référence DMN3024LSD-13
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 248744 pcs
Référence Prix
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Référence DMN3024LSD-13 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 248744 pcs Fiche technique DMN3024LSD
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V Puissance - Max 1.8W
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms DMN3024LSD-13DITR
DMN3024LSD13
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 608pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.9nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Fonction FET Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A Numéro de pièce de base DMN3024LSD

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