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DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7
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Référence DMN3070SSN-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 506573 pcs
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Référence DMN3070SSN-7 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 506573 pcs Fiche technique DMN3070SSN
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SC-59 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 10V Dissipation de puissance (max) 780mW (Ta)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DMN3070SSN-7DICT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 697pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SC-59 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.2A (Ta)

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