DMN3110LCP3-7
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| Référence | DMN3110LCP3-7 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.059 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | DMN3110LCP3-7 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 389718 pcs | Fiche technique | DMN3110LCP3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | 12V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | X2-DFN1006-3 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 500mA, 8V | Dissipation de puissance (max) | 1.38W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 3-XFDFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.52nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 8V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.38W Surface Mount X2-DFN1006-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
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