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DMN313DLT-7

DMN313DLT-7
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Référence DMN313DLT-7
Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 990554 pcs
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Référence DMN313DLT-7 Fabricant Diodes Incorporated
La description MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 990554 pcs Fiche technique DMN313DLT
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-523 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 10mA, 4V Dissipation de puissance (max) 280mW (Ta)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte SOT-523
Autres noms DMN313DLT-7DICT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 32 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 36.3pF @ 5V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 270mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 270mA (Ta)

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