S3JB-13
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| Référence | S3JB-13 |
|---|---|
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | S3JB-13 | Fabricant | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5455 pcs | Fiche technique | S3A/B - S3M/B |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 3A | Tension - Ventilation | SMB |
| Séries | - | État RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisation | DO-214AA, SMB | Autres noms | S3JBDITR S3JBTR S3JBTR-ND |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | S3JB-13 | Description élargie | Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB |
| Configuration diode | 10µA @ 600V | La description | DIODE GEN PURP 600V 3A SMB |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.15V @ 3A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V |
| Capacité à Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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