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S3JB R5G

S3JB R5G
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Référence S3JB R5G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 787679 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)
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Référence S3JB R5G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 787679 pcs Fiche technique S3AB - S3MB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.15V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur DO-214AA (SMB)
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5µs Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AA, SMB Autres noms S3JB R5GTR
S3JB R5GTR-ND
S3JBR5GTR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A Capacité à Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz

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