EPC2021ENG
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| Référence | EPC2021ENG |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.123 | $3.756 | $3.39 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2021ENG | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 11035 pcs | Fiche technique | EPC2021 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 1700pF @ 40V |
| Tension - Ventilation | Die | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Séries | eGaN® |
| État RoHS | Tray | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60A (Ta) |
| Polarisation | Die | Autres noms | 917-EPC2021ENG EPC2021ENGRB3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
| Référence fabricant | EPC2021ENG | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15nC @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 14mA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80V |
| Ratio de capacité | - |
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