EPC2016
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| Référence | EPC2016 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.538 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC2016 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 57154 pcs | Fiche technique | EPC2016 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | +6V, -5V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 11A, 5V | Dissipation de puissance (max) | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1027-2 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta) |
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