EPC8002
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| Référence | EPC8002 |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.217 | $1.088 | $0.979 | $0.892 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.805 | $0.722 | $0.609 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC8002 | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 52806 pcs | Fiche technique | eGaN® FET BriefEPC8002 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V | La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V | Dissipation de puissance (max) | - |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | Die |
| Autres noms | 917-1118-1 | Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 12 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 65V | Description détaillée | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
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