EPC8002ENGR
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| Référence | EPC8002ENGR |
|---|---|
| Fabricant | EPC |
| La description | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.642 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EPC8002ENGR | Fabricant | EPC |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5845 pcs | Fiche technique | eGaN® FET BriefEPC8002 Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Test | 21pF @ 32.5V |
| Tension - Ventilation | Die | Vgs (th) (Max) @ Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | Séries | eGaN® |
| État RoHS | Tray | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarisation | Die | Autres noms | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | EPC8002ENGR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| Fonction FET | N-Channel | Description élargie | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Tension drain-source (Vdss) | - | La description | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65V | Ratio de capacité | - |
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