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GAP3SLT33-220FP

GAP3SLT33-220FP
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Référence GAP3SLT33-220FP
Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 7241 pcs
Référence Prix
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Référence GAP3SLT33-220FP Fabricant GeneSiC Semiconductor
La description DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 7241 pcs Fiche technique GAP3SLT33-220FP Datasheet
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 300mA
Tension - inverse (Vr) (max) 3300V Package composant fournisseur TO-220FP
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2 Full Pack Autres noms 1242-1183
GAP3SLT33220FP
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Silicon Carbide Schottky
Description détaillée Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 3300V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 300mA Capacité à Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz
Numéro de pièce de base GAP3SLT33

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