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STTH1210G-TR

STTH1210G-TR
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Référence STTH1210G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence STTH1210G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4992 pcs Fiche technique STTH1210
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 12A Tension - Ventilation D2PAK
Séries - État RoHS Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-6093-2
Température d'utilisation - Jonction 90ns Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant STTH1210G-TR
Description élargie Diode Standard 1000V (1kV) 12A Surface Mount D2PAK Configuration diode 10µA @ 1000V
La description DIODE GEN PURP 1KV 12A D2PAK Courant - fuite, inverse à Vr 2V @ 12A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1000V (1kV) Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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