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70T633S12BC

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Référence 70T633S12BC
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 586 pcs
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Référence 70T633S12BC Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 586 pcs Fiche technique IDT SuffixesIDT70T633/1S
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Tension - Alimentation 2.4 V ~ 2.6 V La technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Package composant fournisseur 256-CABGA (17x17) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 256-LBGA
Autres noms IDT70T633S12BC
IDT70T633S12BC-ND
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 4 (72 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 9Mb (512K x 18)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17) Numéro de pièce de base IDT70T633
Temps d'accès 12ns

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