70T633S12BFI
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| Référence | 70T633S12BFI |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 14 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $58.938 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 70T633S12BFI | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 579 pcs | Fiche technique | IDT SuffixesIDT70T633/1S |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Tension - Alimentation | 2.4 V ~ 2.6 V | La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Package composant fournisseur | 208-CABGA (15x15) | Séries | - |
| Emballage | Tray | Package / Boîte | 208-LFBGA |
| Autres noms | IDT70T633S12BFI IDT70T633S12BFI-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 9Mb (512K x 18) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15) | Numéro de pièce de base | IDT70T633 |
| Temps d'accès | 12ns |
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