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70V3579S5DRI

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Référence 70V3579S5DRI
Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4719 pcs
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Référence 70V3579S5DRI Fabricant IDT (Integrated Device Technology)
La description IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4719 pcs Fiche technique 70V3579SIDT Suffixes
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Tension - Alimentation 3.15 V ~ 3.45 V La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Package composant fournisseur 208-PQFP (28x28) Séries -
Emballage Tray Package / Boîte 208-BFQFP
Autres noms IDT70V3579S5DRI
IDT70V3579S5DRI-ND
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 1.125Mb (32K x 36)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28)
Numéro de pièce de base IDT70V3579 Temps d'accès 5ns

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