70V3579S6BCI8
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| Référence | 70V3579S6BCI8 |
|---|---|
| Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $20.305 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 70V3579S6BCI8 | Fabricant | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| La description | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 1542 pcs | Fiche technique | IDT70V3579S |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Tension - Alimentation | 3.15 V ~ 3.45 V | La technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Package composant fournisseur | 256-CABGA (17x17) | Séries | - |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 256-LBGA |
| Autres noms | IDT70V3579S6BCI8 IDT70V3579S6BCI8-ND |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire | Volatile | Taille mémoire | 1.125Mb (32K x 36) |
| Interface mémoire | Parallel | Format de mémoire | SRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 6ns 256-CABGA (17x17) | Numéro de pièce de base | IDT70V3579 |
| Temps d'accès | 6ns |
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