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IXDF602SIA

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Référence IXDF602SIA
Fabricant IXYS Integrated Circuits Division
La description MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 118427 pcs
Référence Prix
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Référence IXDF602SIA Fabricant IXYS Integrated Circuits Division
La description MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 118427 pcs Fiche technique IXDx602
Catégorie Circuits intégrés (ci) Tension - Alimentation 4.5 V ~ 35 V
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns Emballage Tube
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Autres noms CLA353
IXDF602SIA-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type d'entrée Inverting, Non-Inverting
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Configuration pilotée Low-Side
Description détaillée Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC Current - Peak Output (Source, Évier) 2A, 2A
courant de charge Independent

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