IXDF602SIATR
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| Référence | IXDF602SIATR |
|---|---|
| Fabricant | IXYS Integrated Circuits Division |
| La description | 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.198 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IXDF602SIATR | Fabricant | IXYS Integrated Circuits Division |
|---|---|---|---|
| La description | 2A 8 SOIC DUAL INV/NON-INVERTING | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 118105 pcs | Fiche technique | IXDx602 |
| Catégorie | Circuits intégrés (ci) | Tension - Alimentation | 4.5 V ~ 35 V |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | Séries | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 7.5ns, 6.5ns | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs | 2 | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 7 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.8V, 3V | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Inverting, Non-Inverting | Type de porte | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée | Low-Side | Description détaillée | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier) | 2A, 2A | courant de charge | Independent |
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