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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > BCR 116S E6727

BCR 116S E6727

BCR 116S E6727
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Référence BCR 116S E6727
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5877 pcs
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Référence BCR 116S E6727 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5877 pcs Fiche technique BCR116
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur PG-SOT363-6 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 250mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms BCR 116S E6727-ND
BCR116SE6727
SP000679396
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 150MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base BCR116S

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