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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > BCR 133 B6327

BCR 133 B6327

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Référence BCR 133 B6327
Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5717 pcs
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Référence BCR 133 B6327 Fabricant International Rectifier (Infineon Technologies)
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5717 pcs Fiche technique BCR133
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms BCR 133 B6327-ND
BCR133B6327
BCR133B6327XT
SP000056346
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 130MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base BCR133

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