EMD29T2R
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| Référence | EMD29T2R |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | $0.13 | $0.109 | $0.089 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $0.074 | $0.061 | $0.046 | $0.042 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | EMD29T2R | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 561847 pcs | Fiche technique | EMT6 T2R Taping SpecEMD29 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V, 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA | Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | EMT6 | Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms | Résistance - Base (R1) | 1 kOhms, 10 kOhms |
| Puissance - Max | 120mW | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Autres noms | EMD29T2RDKR |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 260MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA, 500mA | Numéro de pièce de base | *MD29 |
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