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EMD2FHAT2R

EMD2FHAT2R
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Référence EMD2FHAT2R
Fabricant LAPIS Semiconductor
La description PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1098324 pcs
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Référence EMD2FHAT2R Fabricant LAPIS Semiconductor
La description PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1098324 pcs Fiche technique EMD2FHAEMT6 T2R Taping Spec
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur EMT6 Séries Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 Autres noms EMD2FHAT2RTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 7 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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  • Partie#:EMD
  • Fabricant:Apex Tool Group
  • La description:TIP REPLACEMENT CONICAL .015"
  • En stock:5979
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