QS5U12TR
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| Référence | QS5U12TR |
|---|---|
| Fabricant | LAPIS Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.096 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | QS5U12TR | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 239011 pcs | Fiche technique | QS5U12TSMT5 TR Taping Spec |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±12V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TSMT5 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
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